KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數
陽極 | 電感耦合等離子體 |
大陽極功率 | 600W |
大離子束流 | > 300mA |
電壓范圍 | 100-1200V |
離子束動能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他(ta) |
流量 | 5-20 sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學, 自對準 | OptiBeamTM |
離子束柵極 | 10cm Φ |
柵極材質 | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 10”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年(nian) Dr. Kaufman 博士在美(mei)國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研(yan)發生產考(kao)夫曼(man)離(li)子(zi)(zi)(zi)源, 霍爾離(li)子(zi)(zi)(zi)源和射頻離(li)子(zi)(zi)(zi)源. 美(mei)國考(kao)夫曼(man)離(li)子(zi)(zi)(zi)源歷經 40 年(nian)改良及發展已取得(de)多項專利. 離(li)子(zi)(zi)(zi)源廣泛用于離(li)子(zi)(zi)(zi)清洗 PC, 離(li)子(zi)(zi)(zi)蝕(shi)刻(ke) IBE, 輔助鍍膜(mo) IBAD, 離(li)子(zi)(zi)(zi)濺射鍍膜(mo) IBSD 領域, 上海伯東是美(mei)國考(kao)夫曼(man)離(li)子(zi)(zi)(zi)源中(zhong)國總代(dai)理.
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