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專利號:200810114304
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含有碳納米管的電磁屏蔽材料及其采用化學鍍工藝的制備方法

本發明公開了一種含有碳納米管的電磁屏蔽材料及其采用化學鍍工藝制備電磁屏蔽材料的方法,所述電磁屏蔽材料由碳納米管、金屬鐵、金屬鈷組成,其中電磁屏蔽材料中金屬鐵的質量百分比為5~10,金屬鈷的質量百分比為10~15,余量為碳納米管。采用化學鍍工藝制得電磁屏蔽材料厚度為2~3mm時的吸收強為30~40dB,頻寬為5~18GHz,電磁屏蔽材料的密度為2.2~3.0g/cm↑[3]。

含有碳納米管的電磁屏蔽材料及其采用化學鍍工藝的制備方法

一種含有碳納米管的電磁屏蔽材料,其特征在于:由碳納米管、金屬鐵、金屬鈷組成,其中電磁屏蔽材料中金屬鐵的質量百分比為5~10,金屬鈷的質量百分比為10~15,余量為碳納米管。
 


  
專利號: 200810114304
申請日: 2008年6月2日
公開/公告日: 2008年11月12日
授權公告日:
申請人/專利權人: 北京航空航天大學
國家/省市: 北京(11)
郵編: 100083
發明/設計人: 肇研、段躍新、薛亞娟、孫莉莉、鄭浩
代理人: 官漢增
專利代理機構: 北京市第九專利代理事務所(11121)
專利代理機構地址: 北京市海淀區學院路37號(100083)
專利類型: 發明
公開號: 101304650
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權:
審批歷史:
附圖數: 0
頁數: 12
權利要求項數: 2
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